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SK海力士成功研發(fā)新存儲芯片處理速度提升50%

CM_POSTTIME:2019-08-14NE_A:

SK海力士成功研發(fā)新存儲芯片處理速度提升50%

出自:韓國中央日報中文網

SK海力士8月12日宣布,公司開發(fā)出了業(yè)界處理速度最快的新一代存儲芯片HBM新產品“HBM2E”(見照片)。HBM是高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory)的縮寫,數(shù)據處理速度比傳統(tǒng)的DRAM有了革命性提升。


SK海力士當日宣布開發(fā)成功的HBM2E數(shù)據處理速度比之前的規(guī)格(HBM2)快50%,每秒可處理460GB數(shù)據,相當于每秒可處理124部高清電影(3.7GB)。


HBM2E的超快數(shù)據處理速度可以廣泛應用到需要高性能數(shù)據處理的圖形處理(GPU) 機器學習 、超級計算機、人工智能(AI)等新技術領域。


不同于傳統(tǒng)DRAM,HBM是將半導體本身以數(shù)十微米(1微米等于一百萬分之一米)的間距貼附在邏輯芯片上,可以無需母版,縮短芯片之間的距離,從而提高數(shù)據處理速度。


SK海力士HBM事業(yè)戰(zhàn)略負責人全俊賢(音)表示,“將從HBM2E市場正式打開的2020年開始量產,強化在高端存儲芯片市場的領先優(yōu)勢”。