近來，氧化鎵(Ga2O3)作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁帶半導(dǎo)體也屬于“第四代半導(dǎo)體”，與第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)相比，氧化鎵的禁帶寬度達到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
2024年4月9-11日，一年一度的化合物半導(dǎo)體行業(yè)盛會——2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（簡稱“JFSC＆CSE”）將在武漢光谷科技會展中心舉辦。 尊敬的業(yè)界同仁： 華林嘉業(yè)誠...
2024年上海新國際博覽中心-INVITATION-展位號：N2-2363全球半導(dǎo)體行業(yè)盛會SEMICON China2024將于2024年3月20-22日在上海新國際博覽中心舉行。屆時，全球半導(dǎo)體行業(yè)超1000家展商將攜手共聚，帶來一場精彩紛呈的科...
一元復(fù)始 萬象更新 大年初九 開工大吉新征途、新氣象、新希望堅定信心、事業(yè)新啟2024 再創(chuàng)輝煌
時序更替，歲物豐成。時光匆匆而過，忙碌而充實的一年告一段落。為了慶賀2023的豐碩成果，同時奏響2024的嶄新樂章，集團公司及各子公司副總悉數(shù)到場共同出席年終總結(jié)暨表彰大會。過去一年，公司上下齊心協(xié)力，用...
SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。SiC 是一種二元化合物，其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?，這個間距如何理解呢？...
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