采用多層腔體結(jié)構(gòu),配合旋轉(zhuǎn)式刷頭、二流體、兆聲及多種藥液,可以有效去除晶圓上的物理顆粒及金屬離子殘留,主要用于晶圓制造的最終清洗、CMP后清洗、擴(kuò)散前清洗、刻蝕后清洗、標(biāo)準(zhǔn)RCA、去膠清洗、鍍膜前后清洗等。
? 可兼容多種規(guī)格晶圓
? 具備刷頭自清潔功能
? 腔體分層可做到4層,可實現(xiàn)3種藥液的回收
? 獨立翻轉(zhuǎn)模塊,可實現(xiàn)晶圓正反面自動翻轉(zhuǎn)并清洗
? 在線式藥液配比功能
? 腔室數(shù)量2/4/6/8可靈活配置
? 多種安全檢測,不易產(chǎn)生碎片
適用制程 | Wafer Clean,Etch,PR Strip |
適用尺寸 | 4&6inch,6&8inch,8&12inch |
上料類型 | Open Cassette ,F(xiàn)OUP,SMIF ,EFEM |
化 學(xué) 品 | DIO3/SC1/SC2/DHF/HNO3/NMP/IPA |
顆 粒 物 | ≤30ea @0.2μm |
金屬離子殘留 | ≤1E10 atoms/cm2 |
破 片 率 | ≤0.1‰ |
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