廣東越海集成項目助力增城“芯”產(chǎn)業(yè)補鏈強鏈“廣州增城發(fā)布”消息，近日，廣東越海集成高端傳感器8寸/12寸TSV封裝項目研發(fā)基地通線，首批產(chǎn)品下線及生產(chǎn)基地開工活動在增城開發(fā)區(qū)舉行。根據(jù)規(guī)劃，生產(chǎn)基地建筑面積13...
湖南大學無錫半導體先進制造創(chuàng)新中心正式揭牌“錫山經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)”消息，近日，湖南大學無錫半導體先進制造創(chuàng)新中心在無錫錫山區(qū)正式揭牌。該創(chuàng)新中心由中國工程院院士丁榮軍領(lǐng)銜，旨在聚焦半導體先進制造核心應(yīng)...
浙江麗水重大項目集中簽約 總投資超470億元“蓮都發(fā)布”消息，近日，浙江麗水蓮都區(qū)重大項目集中簽約儀式隆重舉行。20個重大項目現(xiàn)場集中簽約，涉及半導體、大健康、新能源等，項目協(xié)議總投資額達477.36億元。杭州...
CASA發(fā)布SiC MOSFET功率循環(huán)試驗/結(jié)殼熱阻測試2項團體標準由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經(jīng)過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 01...
工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)導通電阻測試方法》團體標準已形成委員會草2022年7月18日，由工信部電子五所牽頭起草的《用于硬開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動態(tài)...
北京大學彭海琳課題組在二維半導體超薄單晶柵介質(zhì)研究中取得重要進展隨著集成電路芯片向亞3納米技術(shù)節(jié)點邁進，晶體管中關(guān)鍵尺寸不斷微縮，帶來更高的開關(guān)速度和集成度，但也會導致短溝道效應(yīng)，嚴重影響晶體管性能...
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