今天我們要聊聊芯片制造中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)——清洗。你可能會(huì)想，芯片不是在無(wú)塵室里做的嗎？怎么還會(huì)有污染呢？其實(shí)，芯片制造過(guò)程中需要用到各種化學(xué)物質(zhì)和機(jī)械操作，這些都會(huì)在晶圓表面留下雜質(zhì)。 ...
半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著下游應(yīng)用場(chǎng)景提出更高要求，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化加速放量階段。SiC性能碳化硅SiC具有200多種晶型，以其...
摘要碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好等優(yōu)異特 性，是制備高性能功率器件等半導(dǎo)體器件的理想材料。得益于工藝簡(jiǎn)單、操作便捷、設(shè)備要求低等優(yōu)點(diǎn)，濕法...
下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來(lái)，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，硅基半導(dǎo) 體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速 膨脹成為了半導(dǎo)...
GaN 是一種優(yōu)異的直接帶隙半導(dǎo)體材料，室溫下禁帶寬度為3.4 eV，具有優(yōu)良的光電性能、熱穩(wěn)定性及化學(xué)穩(wěn)定性，是制作高亮度藍(lán)綠發(fā)光二極管( LED) 、激光二極管( LD) 以及大功率、高溫、高速和惡劣環(huán)境條件下工作的...
超純水設(shè)備采用國(guó)際主流先進(jìn)可靠產(chǎn)品，采用PLC+觸摸屏控制全套系統(tǒng)自動(dòng)化程度高，大大節(jié)省人力成本和維護(hù)成本，水利用率高，經(jīng)濟(jì)合理，是水處理行業(yè)首選的產(chǎn)品。 01 ...
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